SI5920DC-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-05-17 16:49)
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
联系人:李先生
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深圳市博浩通科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:苏经理
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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SI5920DC-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 8.0V 4.0A 3.12W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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