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SI4778DY-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-08-07 16:20)

SI4778DY-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4778DY-T1-GE3价格

参考价格:1.2328

型号:SI4778DY-T1-GE3 品牌:Vishay 说明:SI4778DY-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI4778DY-T1-GE3批发/采购报价,SI4778DY-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI4778DY-T1-GE3报价。

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SI4618DY-T1-GE3 深圳旭亨半导体有限公司

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