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SI4686DY-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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参考价格:3.2363
型号:SI4686DY-T1-E3
品牌:VISHAY
说明:SI4686DY-T1-E3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI4686DY-T1-E3批发/采购报价,SI4686DY-T1-E3行情走势销售排行榜,SI4686DY-T1-E3报价。
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发布时间:2021-04-07