SI3900DV-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-11-12 19:10)
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市润联芯城科技有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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深圳市华康联电子科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司
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万三科技(深圳)有限公司
联系人:阮海燕
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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SI3900DV-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3900DV-T1-E3价格
参考价格:1.2328
型号:SI3900DV-T1-E3
品牌:Vishay
说明:SI3900DV-T1-E3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI3900DV-T1-E3批发/采购报价,SI3900DV-T1-E3行情走势销售排行榜,SI3900DV-T1-E3报价。
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SI3865DDV-T1-GE3
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
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SI4202DY-T1-E3
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发布时间:2021-07-29
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发布时间:2021-04-07