SI3465DV-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-09-16 14:56)
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深圳市润联芯城科技有限公司
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市博中泰实业有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
联系人:云小姐/廖小姐
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深圳市宇创芯科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
联系人:雷小姐 朱先生
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地址:深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908
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深圳市科雨电子有限公司
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SI3465DV-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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