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SI3464DV-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-09-26 22:59)

SI3464DV-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SI3464DV-T1-GE3价格

参考价格:1.6855

型号:SI3464DV-T1-GE3 品牌:Vishay 说明:SI3464DV-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI3464DV-T1-GE3批发/采购报价,SI3464DV-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI3464DV-T1-GE3报价。

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