SI3460DV-T1供应商库存(更新时间:2025-06-07 20:00)
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深圳市羿芯诚电子有限公司
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地址:公司:深圳市福田区华强北都会大厦B座17层17I | 柜台:深圳市华强北新亚洲电子二期N1B166
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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SI3460DV-T1参数规格
功能描述:MOSFET 20V 6.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3460DV-T1-E3价格
参考价格:2.2547
型号:SI3460DV-T1-E3
品牌:Vishay
说明:SI3460DV-T1-E3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI3460DV-T1-E3批发/采购报价,SI3460DV-T1-E3行情走势销售排行榜,SI3460DV-T1-E3报价。
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