SI3460DDV-T1供应商库存(更新时间:2024-05-30 14:30)
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Si3460DDV-T1-GE3
VISHAY/威世
41120
TSOP-6
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原装正品 可含税交易
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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SI3460DDV-T1-GE3
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳诚思涵科技有限公司
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SI3460DDV-T1-GE3
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深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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SI3460DDV-T1-GE3
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深圳市惊羽科技有限公司
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SI3460DDV-T1-GE3
VISHAY-威世
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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Si3460DDV-T1-GE3
VISHAY
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优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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Si3460DDV-T1-GE3
VISHAY
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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深圳市正纳电子有限公司
联系人:邓小姐采购原装正品认准正纳电子
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SI3460DDV-T1-GE3
Vishay(威世)
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原装正品 可支持验货,欢迎咨询
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深圳市力通伟业半导体有限公司
联系人:陈先生◆专业经营内存◆闪存◆高通★XILINX★ALTREA系列
电话:0755-88859789(原厂授权经销商)/0755-82572336(陈先生)
手机:135-9027-9456(陈先生)
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SI3460DDV-T1-GE3
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特价热销现货库存
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深圳市华来深电子有限公司
联系人:朱先生
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SI3460DDV-T1-GE3
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深圳市振芯物联科技有限公司
联系人:张先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)
电话:188-2384-5059【只做原装●一诺千金】
手机:18823845059
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SI3460DDV-T1-GE3
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只做原装正品现货假一赔十一级代理
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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特价,大量供应
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SI3460DDV-T1参数规格
功能描述:MOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3460DDV-T1-GE3价格
参考价格:0.6899
型号:SI3460DDV-T1-GE3
品牌:VISHAY
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