SI3459BDV-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-07-15 16:16)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市华康联电子科技有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳兆威电子有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市振宏微科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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深圳市润联芯城科技有限公司
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SI3459BDV-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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