SI3457DV-T1供应商库存(更新时间:2025-09-12 20:00)
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501464
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78550
SOT-163
2019+
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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3000
NA/
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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SOT23-6
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深圳市惊羽科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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VISHAY/威世
10000
SOT23-6L
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原装现货假一罚十
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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35200
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原装现货/放心购买
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深圳市博中泰实业有限公司
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SI3457DV-T1-GE3
VISHAY/威世
60000
SOT23-6
24+
全新原装现货
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SI3457DV-T1参数规格
功能描述:MOSFET 30V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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