SI3435DV-T1供应商库存(更新时间:2026-03-26 16:52)
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深圳市坤融电子科技有限公司
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SI3435DV-T1-GE3
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SOT-163
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深圳市金华微盛电子有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
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VISHAY
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深圳市川科科技有限公司
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洪芯国际半导体(深圳)有限公司
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SI3435DV-T1-GE3
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深圳市创新迹电子有限公司
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SI3435DV-T1-GE3
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深圳市博中泰实业有限公司
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SI3435DV-T1-GE3
SY/江苏顺烨
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深圳市盈慧通电子有限公司
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360000
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SI3435DV-T1参数规格
功能描述:MOSFET 12V 4.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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