SI2365EDS供应商库存(更新时间:2025-11-02 23:00)
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深圳市正纳电子有限公司
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SI2365EDS
Vishay(威世)
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原装正品 可支持验货,欢迎咨询
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深圳市凯睿晟科技有限公司
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SI2365EDS
Bychip/百域芯
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深圳市俊晖半导体有限公司
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深圳瞄钧科技有限公司
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深圳市华康联电子科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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SI2365EDS参数规格
功能描述:MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2365EDS-T1-GE3价格
参考价格:0.3702
型号:SI2365EDS-T1-GE3
品牌:Vishay
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