SI1417DH-T1供应商库存(更新时间:2024-06-17 17:08)
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SI1417DH-T1-GE3
VISHAY/威世
100586
SC70-6
23+
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SI1417DH-T1-GE3
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54258
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SI1417DH-T1-GE3
VISHAY-威世
78800
SOT-363
24+25+/26+27+
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SI1417DH-T1-GE3
VB
55000
US6
2019
绝对原装正品假一罚十!
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SI1417DH-T1参数规格
功能描述:MOSFET 12V 2.7A 1.56W 85 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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