SI1031R-T1供应商库存(更新时间:2025-10-08 23:00)
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SI1031R-T1-GE3
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Si1031R-T1-GE3
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SI1031R-T1-GE3
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SI1031R-T1-GE3
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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SI1031R-T1-GE3
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200000
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SI1031R-T1-GE3
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500000
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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SI1031R-T1参数规格
功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1031R-T1-GE3价格
参考价格:0.7673
型号:SI1031R-T1-GE3
品牌:Vishay
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