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罗姆半导体集团
Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET
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意法半导体集团
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 째C), in an HiP247 package
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无锡固电半导体股份有限公司
SiC N-Channel MOSFET
STMICROELECTRONICS
意法半导体集团
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package
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