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国兴
2890
DIP
RU8205G 双N沟道(共漏) 20V 6A TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：580pF@1
发布时间：2022-11-23
