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RU8205G双N沟道(共漏)20V6ATSSOP-8场效应管(MOSFET) 双N沟道(共漏)漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：6A功率(Pd)：1.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)：580pF@1
发布时间：2022-11-23
