RU30L30M
RUICHEK
7906200
DFN3*3
RU30L30M
Ruichips(锐骏半导体)
9500
NA
RU30L30M
RUICHIPS
65400
原厂原装
RU30L30M
RUICHIPS
120000
DFN3333
RU30L30M
RUICHIPS
96323
PDFN3333
RU30L30M
RUICHIPS
32550
DFN33
RU30L30M
RUICHIPS
880000
DFN33-8
RU30L30M
RUICHIPS
1480
DFN33
RU30L30M
Ruichips(锐骏半导体)
6000
PDFN33338
RU30L30M
RUICHIPS/锐骏
80000
DFN33
RU30L30M
VBSEMI/台湾微碧
12580
QFN8(3X3
RU30L30M
锐骏RUICHIPS
18562
PDFN3333
RU30L30M
RUICHIPS
90000
DFN3X3
RU30L30M
RUICHIPS
6073
QFN3X3
RU30L30M
RUICHIPS
699839
DFN33
RU40120R40V/120ATO220N沟道功率MOSFET RU40120R,漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V,TC=25℃时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。
发布时间:2022-11-23