RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
20300
SOT-23
RU30E4B
Ruichips(锐骏半导体)
9500
SOT-23
RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
86592
SOT23
RU30E4B
RUHIPS
12663
NA/
RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
51848
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
880000
SOT23
RU30E4B
HAMOS/汉姆
7800
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS
9600
SOT-23
RU30E4B
RUICHIPS
40000
SOT-23
RU30E4B
RUICHIPS
60000
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
60000
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS
15320
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS
50000
SOT-23
RU30E4B
RUICHIPS
50000
SOT23
RU30E4B
RUICHIPS/锐骏
86592
SOT23
RU40120R 40V/120A TO220 N沟道功率MOSFET RU40120R,漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。
发布时间:2022-11-23