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RU40120R40V/120ATO220N沟道功率MOSFET RU40120R，漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V，TC=25℃时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ（VGS=10V，IDS=60A）。
发布时间：2022-11-23