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瑞萨科技有限公司
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
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TO-252
RT9610C是高频、双MOSFET驱动器，设计用于在同步Buck转换器中完成MOSFET驱动任务，尤其适合使用在需要高效率和卓越热性能的移动式计算机应用中。当它和立锜科技的任何一款多相式BuckPWM控制器相遇时，即可为那些先进的CPU提供稳定的内核电源供应。该驱动器可以极短的上升/下降时间和输出延时驱动高达3nF的负载。它集成
发布时间：2021-08-16
