RDN080N25供应商库存(更新时间:2025-04-29 09:51)
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深圳市华斯顿科技有限公司
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RDN080N25
ROHM
8718
TO220F
25+23+
绝对原装正品全新进口深圳现货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
50000
TO-220F
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市晨豪科技有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
89630
TO-220F
23+
当天发货全新原装现货
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深圳市创新迹电子有限公司
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RDN080N25
ROHM
20000
TO220F
2022+
只做原装进口现货.假一罚十
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深圳市赛美科科技有限公司
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68500
TO-220F
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
1000
TO-220F
2023+
原厂全新正品旗舰店优势现货
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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RDN080N25
ROHM
3866
2406+
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
9851
TO-220F
2048+
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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深圳市博浩通科技有限公司
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RDN080N25
Rohm
7750
TO-220FM
23+
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深圳市安富世纪电子有限公司
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RDN080N25
ROHM
5431
TO-220F
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市博浩通科技有限公司
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RDN080N25
罗姆
1897
TO220
23+
专业优势供应
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
880000
TO-220F
25+
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518
RDN080N25
ROHM/罗姆
880000
TO-220F
07+
明嘉莱只做原装正品现货
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瀚佳科技(深圳)有限公司
联系人:李小姐
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RDN080N25
9860
TO220F
24+
原装现货/放心购买
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深圳市威尔健半导体有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
99999
TO-220F
23+
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深圳市中福国际管理有限公司
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RDN080N25
ROHM
5431
TO-220F
20+
进口原装现货,假一赔十
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深圳市恒创达实业有限公司
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RDN080N25
ROHM
6200
TO-220F
17+
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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ROHM/罗姆
860000
TO-220F
25+
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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RDN080N25
ROHM/罗姆
150
NA/
24+
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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手机:13128990370
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RDN080N25
ROHM
38560
TO-220F
20+
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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RDN080N25
ROHM
6528
TO-220F
2016+
房间原装进口现货假一赔十
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室
RDN080N25
ROHM
30000
TO-220F
23
代理全新原装现货 价格优势
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询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司
联系人:刘先生
电话:0755-82777855/0755-82702619
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地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室
RDN080N25
ROHM
30000
TO-220F
23+
代理全新原装现货,价格优势
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询价
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深圳市惊羽科技有限公司
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手机:13147005145
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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室
RDN080N25
ROHM-罗姆
78800
TO-220-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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询价
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深圳市一线半导体有限公司
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RDN080N25
100000
24+
全新现货
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深圳市一线半导体有限公司
联系人:云小姐/廖小姐
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手机:19168775913
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地址:深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A
RDN080N25
10000
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24+
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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手机:15919729761
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RDN080N25
ROHM
50000
to220f
2023+
原装现货
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深圳市河锋鑫科技有限公司
联系人:杨小姐
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手机:13430590551
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RDN080N25
ROHM/罗姆
6000
TO-220F
22+
十年配单,只做原装
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RDN080N25参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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