RDD020N60TL供应商库存(更新时间:2024-05-21 18:09)
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深圳兆威电子有限公司
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RDD020N60
VB
55000
TO-252
2019
绝对原装正品假一罚十!
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询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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RDD020N60
R
33500
TO-252
23+
全新原装真实库存含13点增值税票!
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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RDD020N60
VBsemi
700000
TO252-3
2023+
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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RDD020N60
R
6000
TO-252
23+
原装正品,支持实单
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深圳市创新迹电子有限公司
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RDD020N60
R
25000
TO-252
22+
只做原装进口现货,专注配单
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深圳市九方航科技有限公司
联系人:吴生
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RDD020N60
VBSEMI
29600
TO-252
19+
绝对原装现货,价格优势!
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深圳市河锋鑫科技有限公司
联系人:杨小姐
电话:0755-23933424
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RDD020N60
R
6000
TO-252
22+
十年配单,只做原装
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深圳市安富世纪电子有限公司
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
RDD020N60
VBsemi
50000
TO252-3
21+
全新原装正品现货,支持订货
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询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
联系人:董先生
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RDD020N60
90250
N/A
23+
正品授权货源可靠
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RDD020N60TL参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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