PXAC241702FCV1R0XTMA1
Infineon
英飞凌科技股份公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
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High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
Cree
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
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