Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz
Infineon
英飞凌科技股份公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz
Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
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