Infineon
英飞凌科技股份公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz
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Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 - 1920 MHz, 2010 - 2025 MHz
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