Cree
科锐半导体制造商
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 - 1920 MHz, 2010 - 2025 MHz
Infineon
英飞凌科技公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 ??1920 MHz, 2010 ??2025 MHz
Infineon
英飞凌科技公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 ??1920 MHz, 2010 ??2025 MHz
Infineon
英飞凌科技公司
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 ??1920 MHz, 2010 ??2025 MHz
PXAC201202FC-V2-S250
INFINEON/英飞凌
9851
RFP-LD10M
2048+
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
PXAC201202FC-V2-S250
INFINEON/英飞凌
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RFP-LD10M
2023+
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
INFIEON
43
H-37275G-6/2
16+
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFIEON
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H-37275G-6/2
16+
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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进口原装正品优势供应QQ3171516190