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High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
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Cree
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
Infineon
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
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TO-59.高频管
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车规-射频模块
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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郑重承诺只做原装进口现货
