1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Logic-level compatible
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C)
3. Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
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TO-236AB
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18800
SOT-23.贴片
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36218
SOT-23-3
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SOT-23
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105000
SOT23
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SOT23
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NK/南科功率
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360000
SOT23
