PHD18NQ10T,118供应商库存（更新时间：2025-11-03 16:16）
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PHD18NQ10T,118参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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