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恩智浦半导体公司
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k?? R2 = 2.2 k?
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NEXPERIA
安世半导体(中国)有限公司
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
PBRN123ET-Q
PBRN123Y
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k?? R2 = 10 k?
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