NTMFS6H800NT1G
ON/安森美
9000
DFN5(SO-8FL)
NTMFS6H800NT1G
ONSEMI/安森美
284
DFN
NTMFS6H800NT1G
onsemi(安森美)
8850
SO-8FL
NTMFS6H800NT1G
ON
70000
N/A
NTMFS6H800NT1G
ON(安森美)
4859
SO-8FL
NTMFS6H800NT1G
ONSEMI/安森美
284
DFN
NTMFS6H800NT1G
ON
13
TDFN
NTMFS6H800NT1G
onsemi(安森美)
7350
SO8FL
NTMFS6H800NT1G
ON/安森美
8500
NA/
NTMFS6H800NT1G
ONSEMI/安森美
12500
DFN5X6
NTMFS6H800NT1G
ON SEMICONDUCTOR
35960
con
NTMFS6H800NT1G
ON/安森美
275000
NA
NTMFS6H800NT1G
ON
9000
QFN
NTMFS6H800NT1G
1983
NTMFS6H800NT1G
ON
50000
QFN
安森美半导体NTMFSC006N双路Cool™ N通道功率MOSFET采用Power Trench® 工艺和双面冷却封装。
发布时间:2024-02-22