NTH4L013N120M3S
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安森美半导体公司
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L
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NTH4L014N120M3P
Silicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L
NTH4L015N065SC1
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 m, 142 A
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
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全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微