NSVB123JPDXV6T1G供应商库存(更新时间:2024-04-26 11:12)
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NSVB123JPDXV6T1G参数规格
功能描述:TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大):70mA,100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极(R1)(欧):47k,2.2k 电阻器 - 发射极(R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000784046
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