NSTB1002DXV5T1供应商库存(更新时间:2025-05-01 17:22)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
onsemi(安森美)
3727
SOT-553
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深圳市惊羽科技有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
ON-安森美
236148
SOT-553
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深圳市科达星科技有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
ON
26200
SOT-5
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深圳市科雨电子有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
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6675
SOT-553
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深圳市亚泰盈科电子有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
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55740
SOT-553
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深圳市星辰微电科技有限公司
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25000
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深圳市赛美科科技有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
ON/安森美
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深圳市维基鸿电子有限公司
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地址:广东省深圳市福田区上步工业区205栋三楼
NSTB1002DXV5T1G
ON/安森美
10000
SOT-553
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深圳市凌旭科技有限公司
联系人:谢先生
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地址:深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407
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深圳市晨豪科技有限公司
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地址:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
NSTB1002DXV5T1G
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89630
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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NSTB1002DXV5T1G
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5185
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NSTB1002DXV5T1参数规格
功能描述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大):70mA,100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极(R1)(欧):47k,2.2k 电阻器 - 发射极(R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000784046
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