NP80N03KDE-E1供应商库存(更新时间:2025-05-05 20:00)
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NP80N03KDE-E1-AY
NEC
100000
SOT-263
22+
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NP80N03KDE-E1-AY
NEC-日本电气
78800
TO-263-3
24+25+/26+27+
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NP80N03KDE-E1-AY
RENESAS/瑞萨
89630
TO-263
23+
当天发货全新原装现货
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NP80N03KDE-E1参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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规格
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制造商:GigaDevice
产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:WLCSP-8
系列:GD25LE64E
存储容量:64Mbit
电源电压-最小:1.65V
电源电压-最大:2V
接口类型:SPI
最大时钟频率:133MHz
组织:8Mx8
数据总线宽度:
发布时间:2022-05-31