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NP3100SAMCT3G供应商库存(更新时间:2025-08-07 20:00)

NP3100SAMCT3G参数规格

功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA

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规格 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: GigaDevice 产品种类: NOR闪存 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WLCSP-8 系列: GD25LE64E 存储容量: 64 Mbit 电源电压-最小: 1.65 V 电源电压-最大: 2 V 接口类型: SPI 最大时钟频率: 133 MHz 组织: 8 M x 8 数据总线宽度:

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