NP109N04PUJ-E1B-AY供应商库存(更新时间:2024-05-09 16:42)
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正品授权货源可靠
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NP109N04PUJ-E1B-AY参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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产品属性属性值搜索类似
制造商:GigaDevice
产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:WLCSP-8
系列:GD25LE64E
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电源电压-最小:1.65V
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接口类型:SPI
最大时钟频率:133MHz
组织:8Mx8
数据总线宽度:
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