制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 540 mA, 430 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 1.5 nC, 1.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 8 ns, 19 ns
正向跨导 - 最小值: 1 S
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns, 12 ns
系列: NTZD3155C
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns, 35 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 10 ns
宽度: 1.2 mm
单位重量: 3 mg
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
