类别：分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：Infineon
系列：SIPMOS?
包装：卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：875 pF @ 25 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-SOT223-4
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
