型号:IRFB4227PBF
制造商:INFINEON/英飞凌
封装: TO-220
批号:21+
数量:3080
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类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 管件
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4600 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 330W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
基本产品编号 IRFB4227