制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 675 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - E4
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子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: TRENCHSTOP EconoDUAL
零件号别名: SP000389732 FF450R12ME4BOSA1
单位重量: 345 g
