TAJD337K006RNJ_TAJD337K006RNJ导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
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TLJR226M010R3800
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
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TAJE108K002RNJ
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
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MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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