TAJD107M016RNJ_TAJD107M016RNJ导读
代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其它电极间是绝缘的。
TAJD107M016RNJ_TAJD107M016RNJ
TAJB225K020RNJ
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TAJD107M016RNJ_TAJD107M016RNJ
TAJC155K035RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
TAJD107M016RNJ_TAJD107M016RNJ
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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