TAJD107M006RNJ_TAJD107M006RNJ导读
所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。
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TAJA155M016RNJ
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。。至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道： 1、对于N型MOS管，若G的电压比S处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S（电压方向D指向S）之间就会导通，此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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TAJB336M004RNJ
。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
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]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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