IRLR3636PBF

系列
HEXFET
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3779 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63