TAJC107K016RNJ_TAJC107K016RNJ导读
代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其它电极间是绝缘的。
TAJC107K016RNJ_TAJC107K016RNJ
TAJA335K010RNJ
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TAJC107K016RNJ_TAJC107K016RNJ
TAJC335M025RNJ
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
TAJC107K016RNJ_TAJC107K016RNJ
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
相关资讯
