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SQJ886EP-T1-GE3 MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

来源: 深圳市宗天技术开发有限公司 发布时间:2022-04-19

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摘要:原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: SQ
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
宽度: 5.13 mm
单位重量: 506.600 mg