NTD25P03LT4G场效应管 MOSFET -30V -25A P-Channel
来源:
深圳市宗天技术开发有限公司
发布时间:2022-04-15
摘要:原厂原装 正品现货 支持实单
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
系列: NTD25P03L
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 340 mg