TAJD227M006RNJ_TAJD227M006RNJ导读
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。
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TAJA155K016RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TAJD227M006RNJ_TAJD227M006RNJ
TAJC685M020RNJ
P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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