FGD5T120SH IGBT 晶体管 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.9 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 10 A
Pd-功率耗散: 69 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGD5T120SH
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
单位重量: 260.370 mg